[发明专利]一种介质二次电子发射产额的测量方法有效
| 申请号： | 201911378479.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111307850B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 封国宝;王琪;杨晶;苗光辉;谢桂柏;何鋆;崔万照 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 臧春喜 |
| 地址： | 710100 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 二次电子 发射 测量方法 | ||
【主权项】：
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