[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201911378641.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957370B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;陆阳 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模，衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区；经由第一硬掩模的开口，在衬底中形成N型漂移区，N型漂移区与P型阱区隔开且与N型阱区邻接；在第一硬掩模和衬垫氧化层的表面上沉积第二硬掩模；以及经由第二硬掩模的开口，在N型漂移区上方形成场氧化层。该制造方法通过刻蚀第一硬掩模形成开口，经由开口形成漂移区，节省了掩模，并在第一硬掩模上方沉积第二硬掩模，以使得漂移区上方的氮化物层的厚度小于其他区域的氮化物层的厚度，鸟嘴的长度增加，以降低鸟嘴区域下方的硅衬底的电场，在节省工艺成本的同时有效提升晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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