[发明专利]具阻绝结构的、串接式钙钛矿光电元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201911378828.X 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN113054106A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 施彦辰;黄琬瑜;柯崇文 申请(专利权)人: 位速科技股份有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/00;H01L51/48;H01L25/04;H01L21/60
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 李林
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种具阻绝结构的、串接式钙钛矿光电元件及其制造方法,该钙钛矿光电元件是在基板上依序设置有电极层、光电模块以及导电层,电极层具有间隔设置的第一电极与第二电极,光电模块由下载子传输层、上载子传输层,以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成,且上载子传输层于靠近第二电极侧方延伸有遮蔽部覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方,使导电层与第二电极形成电性连接时,避免导电层与钙钛矿主动层产生接触,进而可防止钙钛矿主动层与导电层的变质,改善钙钛矿光电元件的效能与使用寿命,以及保持美观。
搜索关键词: 阻绝 结构 串接式钙钛矿 光电 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
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