[发明专利]键合晶圆结构的减薄方法及晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201911379085.8 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111180324B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张俊龙;周峰;贺国涛 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B24B1/00;B24B9/06 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 315803 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种键合晶圆结构的减薄方法及晶圆级封装结构。方法包括：提供键合晶圆结构，键合晶圆结构包括器件区和边缘区，边缘区包围器件区，器件区的支撑晶圆和盖帽晶圆之间形成器件层；对支撑晶圆进行第一处理，去除边缘区的支撑晶圆；第一处理后，自支撑晶圆远离盖帽晶圆的一侧对支撑晶圆进行减薄处理；对键合晶圆结构的边缘区进行倒角工艺，使支撑晶圆边缘、器件层边缘和盖帽晶圆的边缘在沿支撑晶圆的轴向截面上位于一条连续的弧线上，且盖帽晶圆的边缘相对于支撑晶圆的边缘突出；倒角工艺后，对盖帽晶圆的背向支撑晶圆的一面进行减薄处理。能够避免键合晶圆结构双面减薄工艺过程中的边缘破损。 | ||
| 搜索关键词： | 键合晶圆 结构 方法 晶圆级 封装 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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