[发明专利]一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法有效

专利信息
申请号: 201911379934.X 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111118599B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 胡强;胡琅;冯杰;徐平;侯立涛;方威;黄星星 申请(专利权)人: 季华实验室
主分类号: C30B25/12 分类号: C30B25/12;C30B29/36
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;黄家豪
地址: 528200 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法,包括步骤:A.制备SiC凝胶溶胶;B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃~250℃;C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时;D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃~1800℃、压力550托~650托、氢气环境中烧结2小时,然后自然冷却到室温;E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨;F.按预设次数重复执行步骤B~E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长,且制备成本低。
搜索关键词: 一种 用于 碳化硅 外延 生长 设备 涂层 制备 方法
【主权项】:
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