[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911380286.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111106163A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 519085 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包含：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述衬底、所述缓冲层、所述沟道层、所述势垒层和所述源极、漏极和栅极沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置，其中，所述势垒层包含第一经掺杂半导体结构，所述沟道层包含第二经掺杂半导体结构。本发明还提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法。所述高电子迁移率晶体管具有低的漏极电场强度，高的击穿电压，高的稳定性，低成本等特征。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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