[发明专利]光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法在审
申请号: | 201911380331.1 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN113050364A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 陈蓓;陈权 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/70 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法,光学模型的优化方法包括:提供光掩膜基板和初始光学模型;确定光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸;获取任一缺陷位置处和正常位置处的光强比,用于作为光强修正因子,光强修正因子与所对应的缺陷的位置和尺寸相关;将光强修正因子添加至初始光学模型中,获得光学模型。本发明的光强修正因子能够表征由缺陷的存在所引起的实际光强的变化,从而使得光学模型的精度更高,光学模型用于建立光学邻近修正模型,因此,能够根据实际光强建立较佳的光学邻近修正模型,以弥补光掩膜基板的缺陷所带来的影响,进而提高光学邻近修正的精准度。 | ||
搜索关键词: | 光学 模型 优化 方法 以及 邻近 修正 | ||
【主权项】:
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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