[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911380367.X | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053941A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘欢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介电层；形成贯穿所述介电层的导电通孔；在所述导电通孔中形成导电插塞；在所述介电层上形成保护层，所述保护层覆盖所述导电插塞；在所述保护层和介电层中形成对准沟槽，所述对准沟槽与所述导电插塞相隔离；形成所述对准沟槽后，去除所述保护层，露出所述导电插塞的顶部；去除所述保护层后，在所述导电插塞上形成磁性隧道结叠层结构。本发明实施例形成的保护层能够对导电插塞起到保护的作用，从而防止导电插塞被氧化而形成金属氧化物，进而有利于使所述MTJ叠层结构与导电插塞直接接触，相应有利于提升MTJ叠层结构与导电插塞的接触性能，MRAM器件的性能也得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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