[发明专利]一种半导体晶体生长装置在审
| 申请号： | 201911381171.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113046833A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邓先亮;沈伟民;王刚;费璐;刘大海 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：坩埚，用以容纳硅熔体；和水平磁场施加装置，用以产生水平磁场；其中，所述水平磁场施加装置包括位于所述坩埚的相对的两侧的至少两个单线圈超导磁体，每一个所述单线圈超导磁体包括沿着所述水平磁场的方向绕制的线圈，以使所述单线圈超导磁体产生串联的所述水平磁场水平穿过所述坩埚内的硅熔体。根据本发明的半导体晶体生长装置，使单线圈超导磁体中线圈产生的水平磁场串联穿过坩埚内的硅熔体，串联的磁场使得磁场发生装置有较小的磁漏，提升磁场发生装置的电磁转换效率，减小了半导体晶体生长装置的制造和使用成本。同时，采用本发明，线圈绕制简单，也大大降低了半导体晶体生长装置的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911381171.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
