[发明专利]一种半导体型MoS2在审

专利信息
申请号: 201911381364.8 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111146006A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 成家洪;王玮;许鹏;刘天宇;孙潇楠;张金涛;苏扬;柏寄荣 申请(专利权)人: 常州工学院
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 杨静文
地址: 213032 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法。包括:(1)制备半导体型MoS2电极;(2)配制十六烷基溴化铵的乙腈溶液;(3)组装电化学反应装置;(4)通电进行电化学反应;(5)电化学反应后,将半导体型MoS2移入有机溶剂,得混合液;(6)将混合液超声处理后分离,取分离后上清液,得半导体型MoS2量子点的有机溶液;(7)将TiO2纳米棒阵列样品置于半导体型MoS2量子点的有机溶液中并超声处理,然后升温热处理,得半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料。本发明的制备方法简单、便于工业生产,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 半导体 mos base sub
【主权项】:
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