[发明专利]一种真空灭弧室触头材料表面镀层及其处理方法有效

专利信息
申请号: 201911381450.9 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111074209B 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 宋忠孝;李玉楼;崔笑千;张娜;李雁淮;朱晓东 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/35;C22C9/00;C22C27/06;C22C30/02
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 闵岳峰
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种真空灭弧室触头材料表面镀层及其处理方法,该方法采用金属铜铬钼靶材在CuCr合金触头材料基底上形成CuCrMo合金膜,其中按质量百分数,CuCrMo合金膜中Cr含量25%~55%,Mo含量5%~9%,其余为Cu,具体的,包括:步骤1:对CuCr合金触头材料基底进行打磨和抛光处理;步骤2:将打磨和抛光处理后的CuCr合金触头材料基底进行清洗、吹干;步骤3:在清洗、吹干后的CuCr合金触头材料基底表面采用磁控溅射的方法镀覆CuCrMo合金膜,最终获得生长有CuCrMo合金膜的CuCr合金触头材料基片。该处理方法制备得到的镀层,其厚度为1μm~20μm。本发明得到的CuCrMo合金膜相比CuCr35具有更高的耐电压强度,更低的截流值和更长的燃弧时间。
搜索关键词: 一种 真空 灭弧室触头 材料 表面 镀层 及其 处理 方法
【主权项】:
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