[发明专利]一种压接式IGBT模块及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201911381706.6 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053831B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 石廷昌;常桂钦;李寒;彭勇殿;吴义伯;董国忠;康强;张文浩;王玉麒 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/043 | 分类号： | H01L23/043;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种压接式IGBT模块，包括多个能够相对于管壳上下移动的子模组，子模组包括：并排间隔设置在导电基板上的多个芯片；能够容置在管壳中或者延伸出管壳的下表面的承压件；设置在芯片的上方的旁路母排，且其上部抵接在承压件的上表面；设置在旁路母排和所述导电盖板之间的弹性件；当压装力不大于弹性件的弹力时，导电盖板延伸出所述管壳的上表面，导电基板和承压件均延伸出管壳的下表面，且导电基板的下表面和承压件的下表面齐平，当压装力大于弹性件的弹力时，导电基板的下表面和承压件的下表面与管壳的下表面齐平，导电盖板的上表面与管壳的上表面齐平。本申请的压接式IGBT模块能够保证芯片受力的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压接式 igbt 模块 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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