[发明专利]一种增益峰可调的锗硅光电探测器有效

专利信息
申请号: 201911382300.X 申请日: 2019-12-27
公开(公告)号: CN111129200B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 张红广;肖希;王磊;胡晓;陈代高;李维忠 申请(专利权)人: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/02
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 李路遥;张颖玲
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请涉及一种增益峰可调的锗硅光电探测器,所述锗硅光电探测器自下而上包括:硅衬底层,埋氧层,硅波导层,锗有源层和绝缘覆盖层,所述锗硅光电探测器还包括布置在所述锗有源层上的可调的带宽增益组件。本发明提供的具有可调的带宽增益组件的锗硅光电探测器,通过可调的带宽增益组件能够弥补由于锗硅光电探测器不同个体间的差异性引起的带宽增益的差异性问题,实现了针对每一个锗硅光电探测器的最佳带宽增益。
搜索关键词: 一种 增益 可调 光电 探测器
【主权项】:
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