[发明专利]一种增益峰可调的锗硅光电探测器有效
申请号: | 201911382300.X | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111129200B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 张红广;肖希;王磊;胡晓;陈代高;李维忠 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李路遥;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种增益峰可调的锗硅光电探测器,所述锗硅光电探测器自下而上包括:硅衬底层,埋氧层,硅波导层,锗有源层和绝缘覆盖层,所述锗硅光电探测器还包括布置在所述锗有源层上的可调的带宽增益组件。本发明提供的具有可调的带宽增益组件的锗硅光电探测器,通过可调的带宽增益组件能够弥补由于锗硅光电探测器不同个体间的差异性引起的带宽增益的差异性问题,实现了针对每一个锗硅光电探测器的最佳带宽增益。 | ||
搜索关键词: | 一种 增益 可调 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的