[发明专利]一种光刻曝光方法、装置和光刻系统有效
| 申请号： | 201911384018.5 | 申请日： | 2019-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN113050383B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 陈烈;陈文枢;于亮 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种光刻曝光方法、装置和光刻系统。该光刻曝光方法，包括：获取衬底上所有集成电路单元中所有对位标记的预设标记位置和实际标记位置；按照预设的多种固定分组类型，分别对衬底上阵列排布的多个集成电路单元进行划分；计算各种固定分组类型在最佳的掩模曝光调整参数下的集成电路单元组合的合格率；按照预设评价函数，确定最优的固定分组类型；根据最优的固定分组类型以及各集成电路单元对应的最佳的掩模曝光调整参数，生成控制信号以控制光刻机对衬底上的集成电路单元进行曝光。本发明实施例解决了现有的光刻曝光方法光刻效率较低的问题，可以提高曝光效率，实现曝光良率和曝光效率的兼顾，有助于提升曝光制程的产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 曝光 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
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