[发明专利]具有单光子雪崩二极管像素的半导体器件在审
| 申请号： | 201911387252.3 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111526306A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | D·P·帕鲁比阿克 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369;H04N5/378 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“具有单光子雪崩二极管像素的半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件可包括单光子雪崩二极管像素的阵列。所述单光子雪崩二极管(SPAD)像素可包括经由第一复位路径和第二复位路径耦接到电源电压端子的SPAD。所述第一复位路径可以是为所述SPAD提供短恢复时间的快速复位路径。所述第二复位路径可以是为所述SPAD提供较长恢复时间的较慢复位路径，但是还用于确保即使与所述第一复位路径相关联的淬灭电阻低时所述SPAD也淬灭。逻辑电路可选择性地激活所述第一复位或所述第二复位以淬灭并且复位所述SPAD。所述SPAD像素还可以包括一个或多个开关，所述一个或多个开关在所述SPAD像素未激活时将所述SPAD像素中的节点保持在恒定电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 光子 雪崩 二极管 像素 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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