[发明专利]部分背面金属移除切割系统及相关方法在审
| 申请号： | 201911387253.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111489965A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“部分背面金属移除切割系统及相关方法”。本发明公开了切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式，其可包括：在衬底的第一侧上形成多个管芯；在衬底的第二侧上形成背面金属层；仅部分地穿过背面金属层的厚度形成沟槽；以及通过移除管芯划道中的背金属材料和移除管芯划道中的衬底材料来切割包括在衬底中的多个管芯。沟槽可位于衬底的管芯划道中。 | ||
| 搜索关键词： | 部分 背面 金属 切割 系统 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
