[发明专利]成像像素在审
申请号: | 201911390025.6 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111430388A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | T·格蒂斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张玮;王琳 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种成像像素。一种图像传感器可包括具有高动态范围的多个成像像素。每个成像像素可具有光电二极管、浮动扩散区和转移晶体管,该转移晶体管被配置为将电荷从光电二极管转移到浮动扩散区。每个成像像素还可包括溢出电容器和溢出晶体管,该溢出晶体管插置在光电二极管与溢出电容器之间。双转换增益晶体管可插置在溢出电容器与浮动扩散区之间。为了减少与像素的操作相关联的噪声,环形导电层可形成用于溢出晶体管和双转换增益晶体管两者的栅极。该公共栅极可在积聚期间被设置到中间电平以允许电荷经过溢出晶体管溢出到溢出电容器。公共栅极还可用于断言双转换增益晶体管。 | ||
搜索关键词: | 成像 像素 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的