[发明专利]一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路在审
| 申请号： | 201911390092.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111030070A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊;陈程;王文焕;刘国巍 | 申请（专利权）人： | 安徽理工大学 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 232001 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件开关过压保护领域，具体是一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路。本发明的目的是提供一种动态抑制功率半导体器件关断过压的方法，从而保护功率半导体器件，保障开关电路正常工作。该方法以电容、电阻、二极管、晶体管组成的过电压保护电路，利用IGBT关断时两端产生的过电压对电容进行充电，并且为晶体管的导通提供一个脉冲使得晶体管Q导通。晶体管Q导通后泄放感生电流。此电路反映速度快，电路设计简单，成本低，能够克服无源电路抑制过电压精度不高的问题，电路工作速度快，抑制效果好。动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路采用低成本的器件达到更好的抑制效果，其社会效益与经济效益大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 抑制 功率 半导体器件 过电压 电路 | ||
【主权项】：
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