[发明专利]一种泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201911390516.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111091981A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李睿智;张灵;周盈科 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/46 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料及其制备方法。其技术方案是：将二水合氯化铜、六水合氯化钴和尿素溶于去离子水中，搅拌，得到混合溶液；将混合溶液转入高压反应釜中，再将预处理过的泡沫镍浸入到混合溶液中，水热反应10～12h，冷却，洗涤，干燥，得到前躯体；将前躯体置于管式气氛炉中，空气气氛中升温至400～450℃，保温，冷却，制得泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料。所制制品的钴酸铜纳米线与三维孔洞结构的泡沫镍相结合，形成泡沫镍孔洞与紧密排列纳米线嵌套的三维结构。本发明具有工艺简单、操作方便和环境友好的特点。所制备的泡沫镍基底负载钴酸铜纳米线阵列材料形貌规整、比容量高、倍率性能好、循环性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 泡沫 基底 负载 钴酸铜 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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