[发明专利]Mini LED芯片制备方法在审
| 申请号： | 201911390804.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111106210A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 彭翔;封波;赵汉民 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Mini LED芯片制备方法，包括：S1在硅衬底表面依次制备GaN结构和p型欧姆接触层；GaN结构中包括n型GaN层、量子阱结构及p型GaN层；S2于N电极处对p型欧姆接触层和GaN结构进行蚀刻直至n型GaN层；S3对管芯边缘的GaN结构进一步蚀刻直至硅衬底；S4在步骤S3得到的结构表面生长绝缘层；S5分别对n型GaN层和p型欧姆接触层表面的绝缘层进行蚀刻形成N极孔和P极孔，并在N极孔和P极孔上分别形成N‑Pad层和P‑Pad层；S6于步骤S5得到的结构表面涂覆支撑层，覆盖N‑Pad层和P‑Pad层；S7去除硅衬底并转移至支撑膜上；S8对支撑层进行减薄直至N‑Pad层和P‑Pad层；S9切割得到单颗Mini LED芯片，完成Mini LED芯片的制备。有效解决现有Mini LED芯片制备过程中晶圆片易破片等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | mini led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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