[发明专利]熔断反熔丝元件的方法在审
申请号: | 201911391506.9 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN112242378A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 丘世仰 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;董云海 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种熔断反熔丝元件的方法。接收反熔丝元件,反熔丝元件包括第一导体、第二导体和设置在第一导体和第二导体之间的介电层,其中介电层具有崩溃电压。在第一时段内,施加第一电压于第一导体与第二导体之间,其中第一电压小于崩溃电压。在施加第一电压之后,在第二时段内,施加第二电压于第一导体与第二导体之间,以熔断反熔丝元件,其中第二电压大于崩溃电压。在施加电压以熔断反熔丝元件前,施加至少另一个小于介电层的崩溃电压的电压以在导体上累积电荷,对于熔断反熔丝元件是有利的,因此通过上述的方法,反熔丝元件可以具有稳定且足够低的崩溃后电阻。 | ||
搜索关键词: | 熔断 反熔丝 元件 方法 | ||
【主权项】:
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