[发明专利]一种闪存及其制造方法在审
| 申请号： | 201911393976.9 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113129940A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;冯骏 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06;G11C16/08;G11C16/24;H01L27/11524;H01L27/11529 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种闪存及其制造方法，闪存包括：多个闪存单元、多个位线单元和多条字线，闪存单元具有第一源漏区、第二源漏区和控制栅；一条字线与一行闪存单元中每个闪存单元的控制栅分别电连接，一列闪存单元与一个位线单元电连接，一个位线单元包括一条第一位线和一条第二位线；一列闪存单元，奇数位闪存单元的第一源漏区和偶数位闪存单元的第一源漏区均共同连接至对应位线单元的第一位线，奇数位闪存单元的第二源漏区和偶数位闪存单元的第二源漏区均共同连接至对应位线单元的第二位线，其中，一列闪存单元的第一源漏区注入形成第一位线，一列闪存单元的第二源漏区注入形成第二位线。本发明实施例中，缩小了闪存的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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