[发明专利]引入牺牲层的阳极氧化铝薄膜牢固金属纳米颗粒的方法在审
| 申请号： | 201911394080.2 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111071985A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吕晓庆;耿照新;苏玥;方维豪;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种通过引入牺牲层的阳极氧化铝薄膜制备牢固金属纳米颗粒的方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂或蒸镀牺牲层，加热固化；将阳极氧化铝薄膜转移到所述牺牲层上；以阳极氧化铝薄膜为模板，刻蚀牺牲层；在上述步骤得到的衬底上蒸镀粘附层和金属层；去除阳极氧化铝薄膜；去除牺牲层，最终在所述衬底上形成牢固的金属纳米颗粒阵列。该方法可以实现在衬底上形成牢固纳米颗粒阵列，金属纳米颗粒的直径最小可制备30nm，厚度可随着纳米颗粒直径的增加而增加，但是不超过纳米颗粒直径。利用商用阳极氧化铝薄膜为模板，成本低廉，实验过程简单。 | ||
| 搜索关键词： | 引入 牺牲 阳极 氧化铝 薄膜 牢固 金属 纳米 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
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