[发明专利]一种高效散热半导体衬底及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911397642.9 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111129184A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 贾慧民;李承林;魏志鹏;唐吉龙;晏长岭;张晶;方铉;王登魁;王晓华;马晓辉 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘潇
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,提供了一种高效散热半导体衬底及其制备方法。本发明在半导体基底背面沉积金刚石薄膜,然后在正面依次进行减薄和抛光,得到高效散热半导体衬底。本发明提供的衬底正面为极薄的半导体衬底层,背面为高效散热的金刚石薄膜,既符合材料外延生长的要求,也具有优良的导热能力,利用其制备半导体光电子器件,能够提升器件的性能,免除常规光电子器件制备工艺中的减薄、抛光的工艺步骤,不会对正面的器件结构及正面电极造成损伤。
搜索关键词: 一种 高效 散热 半导体 衬底 及其 制备 方法
【主权项】:
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