[发明专利]一种阻变存储器和制造方法在审
| 申请号： | 201911397907.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111081872A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;王宗巍 | 申请（专利权）人： | 浙江省北大信息技术高等研究院;杭州未名信科科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种阻变存储器和制造方法，其存储器区域包括依次相连的第一金属互连线、阻变存储单元和第二金属互连线；阻变存储单元底电极的整体或一部分，在第一金属互连线上的阻挡层的短通孔中；第一金属互连线与所述阻变存储单元的底电极相连；第二金属互连线与所述阻变存储单元的顶电极相连。通过将阻变存储单元底电极的整体或一部分，置于第一金属互连线上的阻挡层的短通孔中，使底电极可以做的很薄，降低了阻变存储单元在CMOS后道工艺中的高度，需要占用CMOS后道工艺中各层的厚度更薄，方便集成，不会影响到逻辑电路区域的后段工艺，且总堆叠厚度能满足阻变存储器的电学性能需求。本申请实施方式中的工艺集成方案能够使RRAM与标准CMOS集成更加简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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