[发明专利]光刻缺陷修复方法以及半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201911398944.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111199876A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 伍强;李艳丽;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/72;G03F1/82 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻缺陷修复方法，包括：首先，提供一半导体结构，包括衬底、位于所述衬底上方的硬掩模层以及位于所述硬掩模层上方的图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有光刻缺陷；其次，通过刻蚀形成图形化的硬掩模层，所述图形化的硬掩模层中具有对应所述缺陷的硬掩模缺陷；然后，去除图形化的光刻胶层，并在图形化的硬掩模层和衬底上覆盖具有流动性的有机碳层，所述有机碳层流动到所述图形化的硬掩模层的缺陷处；进一步，通过烘焙使所述有机碳层交联；最后，除去多余的有机碳层，以形成所述硬掩模缺陷被修复后的图形化的硬掩模层。通过上述方法可以在刻蚀后实现对断线和/或裂缝的填补，即实现光刻缺陷的修复。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 缺陷 修复 方法 以及 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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