[发明专利]一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种纳米晶高熵氧化物薄膜的制备方法及应用，制备方法包括以下步骤：先称取纯度高于99.90％的金属氧化物粉末混合物装入模具，再冷压成型，制成直径60mm，厚度5mm的圆柱体压坯；将所述圆柱体压坯高温煅烧后缓慢冷却至室温，得到混合氧化物靶；将单晶硅(100)基底材料依次利用酒精、丙酮、去离子水超声清洗5min；在真空条件下多靶磁控溅射所述混合氧化物靶和所述单晶硅(100)基底材料，真空度为2.0×10‑4Pa；多靶磁控溅射完成后，真空室温度冷却至常温后将溅射完成的薄膜取出，即得到纳米晶高熵氧化物薄膜；该纳米晶高熵氧化物薄膜具有较强的铁磁性和较大的饱和磁化强度。