[发明专利]基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜的方法在审
| 申请号： | 201911400443.9 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111180392A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吕朝锋;陆明;徐杨 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L29/06;H01L29/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于绝缘体上硅大批量获得大尺寸单晶硅纳米膜方法，该方法步骤包括：在绝缘体上硅晶圆上光刻显影方形沟槽阵列及微孔阵列图形，ICP刻蚀顶层硅至埋氧层，放入缓冲氧化物腐蚀液中腐蚀埋氧层，取出腐蚀完埋氧层的绝缘体上硅在去离子水中轻轻抖动，顶层单晶硅纳米薄膜脱离衬底漂在水面，多次转印清洗，转印至目标衬底。该发明方法一次可以获得几十片边长为5毫米及以上单晶硅纳米薄膜方块，该单晶硅纳米薄膜方块质量与体硅相同，同时由于厚度减薄至几十甚至几百纳米，具有一定的柔性。该发明方法可以将传统固态体硅电子器件技术与柔性电子器件技术结合，二者优势互补，应用前景广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 绝缘体 大批量 获得 尺寸 单晶硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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