[发明专利]一种等离子体刻蚀残留物清洗液在审
| 申请号： | 201911407714.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130292A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 肖林成;刘兵;彭洪修;张维棚;赵鹏 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;C09K13/00 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭;王芳 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体刻蚀残留物清洗液，包括氧化剂、pH调节剂、稳定剂、有机酸铵盐、金属缓蚀剂、以及水。本发明提供了一种等离子体刻蚀残留物清洗液，可有效去除晶圆清洗过程中的等离子体刻蚀残留物，并且，在金属孔道中的残留物少；对氮化钛的刻蚀具有高选择性，能够高效去除氮化钛硬掩模；并且在高转速单片机清洗中对金属材料和非金属材料以及Low‑k介质材料均有较小的腐蚀速率；操作窗口较大；本申请的清洗液中不含氟，即使是小于14nm的晶圆也不会影响其电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 残留物 清洗 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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