[发明专利]一种改善缺陷剥落的方法在审
| 申请号： | 201911407840.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128724A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 宁威;倪立华;陈广龙;李志国;米琳;吴坚;周军 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善缺陷剥落的方法，提供具有SiCOH层的晶圆；在SiCOH层上沉积NDC层；在NDC层上沉积BD层；在BD层上沉积TEOS层；对晶圆进行快速升温，利用快速升温的热冲击使晶圆提前将缺陷剥落；对晶圆进行清洗以去除剥落的缺陷。本发明通过后段薄膜沉积工艺中在TEOS层沉积之后，利用快速升温的方法产生热冲击，提前将缺陷源释放出来，避免后薄膜沉积工艺中产生缺陷剥落，提高了产品良率，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 缺陷 剥落 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
