[发明专利]一种修复晶硅太阳电池银栅线电极的方法有效
| 申请号： | 201911410140.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111074275B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 莫丽玢;赵雷;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C23C18/44;C25D3/46;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张天一 |
| 地址： | 100190 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种修复晶硅太阳电池银栅线电极的方法，属于晶硅太阳电池领域。本发明先对损坏的晶硅太阳电池银栅线电极进行光诱导化学镀银处理，使银有效填充进原银栅线电极内的空隙中，并在其表面以及银栅线电极脱落的位置上形成一层致密度高的银种子膜，然后进行电镀银处理，不但可实现银种子膜的快速增厚，而且可避免银定向片状晶的生成，有效改善银镀层的表面质量，从而获得大高宽比的再生银栅线电极。此外，本发明的方法不需要对电池进行高温处理，可避免电池性能的进一步衰退，在修复过程中也不会对晶硅太阳电池的其他部分(如减反射膜(氮化硅或氧化硅层))造成损害，从而可有效提高废旧晶硅太阳电池的回收再利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 太阳电池 银栅线 电极 方法 | ||
【主权项】：
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