[发明专利]提高单晶硅品质的热场及方法有效
| 申请号： | 201911410265.8 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN110923807B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 闫广宁;杨红涛;董永见 | 申请（专利权）人： | 宁晋晶兴电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 张一帆 |
| 地址： | 055550 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高单晶硅品质的热场及方法。热场包括石英坩埚以及同轴等径设置的主加热器和副加热器，主加热器相对于石英坩埚的中上部设置，由若干个等长的主加热瓣环设而成；副加热器相对于石英坩埚的下部设置，由若干个等长的副加热瓣环设而成，主加热器和副加热器的表面还喷涂有用以避免碳挥发的耐高温水基纳米涂层。方法包括采用前述热场生产单晶硅，包括清洁多晶硅料、清炉、装料、化料、二次加料、引颈、放肩、等径、收尾和提出的步骤。本发明提供的热场可以减少热对流，降低单晶硅中单晶氧元素等杂质的含量，由该方法制得的单晶硅中氧、碳、金属等杂质含量少，用于生产电池片时，可以有效提高电池的效率，降低电池片的衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 单晶硅 品质 方法 | ||
【主权项】：
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