[发明专利]光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201911412413.X | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113066873B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 邓承雨;芦子哲 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/09;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种光电探测器及其制备方法。本发明提供的光电探测器包括:第一电极,第二电极,设置在第一电极和第二电极之间的发光层,以及设置在发光层和第一电极之间的增强层;增强层的材料包括:金属纳米颗粒和光子晶体。通过利用金属纳米颗粒和光子晶体将入射光聚集,以及由金属纳米颗粒和光子晶体相互作用产生的有效局部电场,促进了大量的电子被注入到发光层中,加快了发光层的发光速率,当有效局部电场激发的等离子体共振峰与发光层材料的发射频率相同或相近时发生叠加,从而大大增加发光层的光发射效率和光发射强度。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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