[发明专利]半导体装置及其控制方法在审
申请号: | 201911413071.3 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111725309A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L21/335;H01L29/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体装置及其控制方法,能够降低导通电阻以及开关损失的双方。半导体装置具备半导体部、第一电极、第一~第三控制电极、第二电极。上述半导体部位于上述第一电极与上述第二电极之间。上述第一~第三控制电极分别设置在上述第一电极与上述半导体部之间,被从上述半导体部以及上述第一电极电绝缘,分别独立地被施加偏压。上述半导体部还包含第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、第一导电型的第三层、第二导电型的第四层。第二层选择性地设置在上述第一层与上述第一电极之间。第三层选择性地设置在上述第二层与上述第一电极之间。第四层设置在上述第一层与上述第二电极之间。第二层配置成隔着绝缘膜而与上述第一~第三控制电极面对。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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