[发明专利]半导体装置及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201911413071.3 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111725309A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L21/335;H01L29/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘杰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体装置及其控制方法,能够降低导通电阻以及开关损失的双方。半导体装置具备半导体部、第一电极、第一~第三控制电极、第二电极。上述半导体部位于上述第一电极与上述第二电极之间。上述第一~第三控制电极分别设置在上述第一电极与上述半导体部之间,被从上述半导体部以及上述第一电极电绝缘,分别独立地被施加偏压。上述半导体部还包含第一导电型的第一层、第二导电型的第二层、第一导电型的第三层、第二导电型的第四层。第二层选择性地设置在上述第一层与上述第一电极之间。第三层选择性地设置在上述第二层与上述第一电极之间。第四层设置在上述第一层与上述第二电极之间。第二层配置成隔着绝缘膜而与上述第一~第三控制电极面对。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 控制 方法
【主权项】:
暂无信息
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