[发明专利]一种芯片的双重自毁装置有效
| 申请号： | 201911413777.X | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111143901B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李波;谷志军;何璐;李鼎;陈永贵 | 申请（专利权）人： | 湖南博远翔电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/78 | 分类号： | G06F21/78;B02C1/14;B02C23/00 |
| 代理公司： | 长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) 43236 | 代理人： | 伍志祥 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开发区麓谷*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芯片的双重自毁装置，包括固定位于芯片上方的施压块，所述施压块的下端设置用于引发芯片机械自毁的机械破坏尖点和用于引发芯片烧毁的自燃引点，本自毁装置中设置两种芯片自毁功能，施压弹簧被压缩后伸展，给施压块向下的压力，机械破坏尖点会压向芯片进行机械自毁，而自燃引点会砸开密封板，引燃室进入空气，同时自燃引点推动活动块，摩擦自燃头的摩擦面和摩擦壁相互摩擦起火，使得自燃底盒起火，芯片从底部被烧毁，本发明中可对芯片进行机械和烧毁双重自毁，保证芯片彻底被毁坏，双重自毁结构可同时启动，且不需要电能，结构简单且紧凑，自毁效果稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 双重 自毁 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南博远翔电子科技有限公司，未经湖南博远翔电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911413777.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
