[发明专利]提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201911414855.8 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130381A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;王荣荣;周祖源;吴政达 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高底部金属与焊垫辨识度的方法及半导体结构，所述方法包括：提供基底，形成具有第一窗口第一掩膜层、底部金属，去除第一掩膜层，形成修复金属层，形成具有第二窗口的第二掩膜层，形成焊垫，去除第二掩膜层及部分修复金属层，再在焊垫上形成金属线。本发明在去除第一掩膜层后在底部金属及其周围的基底上形成修复金属层，修复金属层具有比底部金属更高的表面平整度，从而可以提高后续形成的焊垫的表面的平整度，可以使得焊垫的表面与焊垫周围的底部金属的表面之间的粗糙度差异变大，使得二者更容易辨识区分，从而有利于在焊垫上准确有效的制备金属线，提高金属线制备的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 底部 金属 辨识 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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