[发明专利]聚酰亚胺薄膜及其制备方法及射频挠性印制电路的基膜有效

专利信息
申请号: 201911415112.2 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN110951099B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 曾彩萍;付高辉;刘贺;曹义;杨继明;金鹰;薛驰 申请(专利权)人: 中天电子材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08J7/00;C08G73/10;H05K1/03;C08L79/08
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 徐丽;余剑文
地址: 226010 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法,包括制备聚酰胺酸树脂溶液,过滤后待用,聚酰胺酸树脂溶液的固含量控制在15~35wt.%范围内,粘度控制在10~45x104mPa·s范围内;称取一定量的聚酰胺酸树脂溶液,真空脱泡后进行亚胺化,得到自支撑半固化胶膜;将自支撑半固化胶膜固定于框架上,对自支撑半固化胶膜升温加热至设定温度后,冷却至室温,得到聚酰亚胺初级薄膜;将得到的聚酰亚胺初级薄膜经过退火处理,得到聚酰亚胺薄膜。上述聚酰亚胺薄膜及其制备方法及射频挠性印制电路的基膜,不限于一种制备方法,制备的聚酰亚胺薄膜具有低介电常数、低介电损耗、低热膨胀系数等特性,综合性能优异,满足高频挠性射频印制电路的使用要求。
搜索关键词: 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 射频 印制电路
【主权项】:
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