[发明专利]谐振器及其形成方法在审
| 申请号： | 201911415323.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112117987A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 杨国煌 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02;H03H9/54 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种谐振器及其形成方法，谐振器的形成方法包括：在第一衬底上形成压电叠层结构，包括第一区域，压电叠层结构与第一衬底相接触的面为第一正面；在第一区域上形成覆盖压电叠层结构的牺牲层；提供第二衬底；在第二衬底上形成粘合层，粘合层与第二衬底相接触的面为第二正面，与第二正面相背的面为第二背面；将粘合层的第二背面贴合于牺牲层和牺牲层暴露出的压电叠层结构上，使粘合层覆盖牺牲层的侧壁且填充于第二衬底与压电叠层结构之间；去除第一衬底，暴露出压电叠层结构的第一正面；形成贯穿压电叠层结构的释放孔或者形成贯穿第二衬底的释放孔，释放孔暴露出牺牲层；通过释放孔去除牺牲层，形成空腔。本发明实施例有利于提升谐振器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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