[发明专利]带电可擦除可编程只读存储器的操作方法在审
| 申请号： | 201911415784.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112885834A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴政颖;钟承谕;黄文谦 | 申请（专利权）人： | 亿而得微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，此带电可擦除可编程只读存储器在半导体基板上设置有晶体管结构，且晶体管结构具有第一导电闸极，同时，于第一导电闸极与源极和汲极交界处的半导体基板内或源极和汲极的离子掺杂区内更植入有同型离子，以增加该区域内的离子浓度，以降低写入及抹除的电压差，藉由本发明对应元件提出的操作方法，包括将汲极或源极设定为浮接的条件，进而可达到大量记忆晶胞的快速写入及抹除。本发明除了可以应用于单闸极晶体管结构之外，更适用于具有浮接闸极结构的带电可擦除可编程只读存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 带电 擦除 可编程 只读存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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