[发明专利]一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整及T型栅制作方法在审
申请号: | 201911416568.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111430227A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 张亦斌 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;G02B5/18 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 严海晨 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于电子束负胶的T型光刻图形的根部腔壁角度调整方法及T型栅制作方法;其步骤包括:在制备器件所需的外延层表面旋涂负性电子束光刻胶,用电子束直写所需T型栅两侧区域并显影获得正梯形的栅脚结构,通过控制电子束直写计量调节栅脚图形根部腔壁的角度。然后,利用正性电子束光刻胶直写栅帽,或者通过传统光刻曝光光刻栅帽,形成T型形貌,再蒸发金属后剥离形成T型金属电极。本发明采用电子束负胶不仅能够获得正梯形的栅脚结构,显著提高栅的稳定性,同时由于该方法不需要直写栅终端的大面积区域,有效提高直写速度;该工艺在制作氮化镓基、铟磷基、砷化镓基等材料的高频器件工艺中具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 图形 根部 角度 调整 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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