[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201911417465.6 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130835B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 邓承雨;芦子哲 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,方法包括:提供阴极;在阴极上形成量子点发光层;在量子点发光层远离阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层;在第一过渡金属氧化物层远离量子点发光层的一侧形成石墨烯层;采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层;在第二过渡金属氧化物层远离石墨烯层的一侧形成阳极,得到量子点发光二极管。本发明通过增设第一过渡金属氧化物层、石墨烯层和第二过渡金属氧化物层的夹心结构作为空穴注入层来提高空穴的注入能力,在量子点发光二极管上实现电子与空穴的主动平衡,提升电子空穴对的复合效率,使器件的发光效率得到提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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