[发明专利]一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜有效

专利信息
申请号: 201911420173.8 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111132533B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 叶萃;殷宏宇;潘军;张旺;彭永武 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;B22F1/00
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 黄美娟;俞慧
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜,所述复合电磁屏蔽膜由MXene、银纳米线和粘结剂制成;其中,MXene和银纳米线的质量比为0.05‑20,粘结剂的质量用量为MXene和银纳米线总质量用量的0.001‑10%;所述粘结剂为海藻酸钠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、壳聚糖、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠中的一种或几种的混合;所述MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜通过如下方法制备:将银纳米线溶液与粘结剂充分混合后得到混合液1,混合液1再与MXene溶液充分混合,得到混合液2;将混合液2抽滤成膜,即得到MXene/银纳米线复合电磁屏蔽膜。本发明所得的复合电磁屏蔽膜具有优异的电磁屏蔽性能,且本发明方法简单易行、成本低,可以批量生产。
搜索关键词: 一种 mxene 纳米 复合 电磁 屏蔽
【主权项】:
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