[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：底电极、量子点发光层、顶电极及顶电极增透层，所述量子点发光层位于所述底电极与所述顶电极之间，所述顶电极增透层位于所述顶电极上方并与所述顶电极贴合设置；所述顶电极为金属电极，所述顶电极增透层的材料包括磷钼酸。本发明以具有良好导电性的金属电极为顶电极，并在顶电极上设置一具有高折射率的含磷钼酸的顶电极增透层构筑得到的QLED，其具有的金属电极/含磷钼酸的顶电极增透层的电极结构保证了电极的导电性的同时，提高了电极的透光率；另外，含磷钼酸的顶电极增透层的存在，还起到隔离的作用，则提高了QLED器件的整体稳定性。