[实用新型]一种硅同质结双面太阳电池

摘要

本实用新型涉及一种硅同质结双面太阳电池，属于新型叠层太阳能电池技术领域。本实用新型主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种硅同质结双面太阳电池，包括从下到上依次设置的氮化硅钝化减发射层、磷源掺杂层、p型硅衬底、过渡金属氧化物钝化层、透明导电氧化物层，所述氮化硅钝化减发射层上表面、透明导电氧化物层下表面均设置有金属栅线电极层。本实用新型采用了过渡金属氧化物钝化层和透明导电氧化物层代替常规的三氧化二铝和氮化硅层，可以保证良好的背面钝化和载流子收集，显著的改善背面电池的效率和开路电压，提高背面电池的功率，增加发电量。

主权项

1.一种硅同质结双面太阳电池，其特征在于，包括从下到上依次设置的氮化硅钝化减发射层(102)、磷源掺杂层(101)、p型硅衬底(100)、过渡金属氧化物钝化层(103)、透明导电氧化物层(104)，所述氮化硅钝化减发射层(102)上表面、透明导电氧化物层(104)下表面均设置有金属栅线电极层(105)。