[实用新型]一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构有效
申请号: | 201920025923.0 | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN209397261U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 张彬彬;王彬 | 申请(专利权)人: | 天津维普泰克科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/458 |
代理公司: | 北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙) 11684 | 代理人: | 汪发成 |
地址: | 300000 天津市滨海新*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构,包括加热盘和传片机构,所述加热盘与传片机构构成升降机构,所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽;所述传片机构包括升降盘和若干组工位托,所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配;所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状,所述工位托的一侧设有承片托,所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。本实用新型可以改进砷化镓晶片或通用晶片在PECVD工艺的薄膜生产的过程中成膜均匀差和晶片背面有膜的痕迹,影响后续光刻工序的工艺质量的技术问题,最终可以大大提高晶片热场的均匀性以及晶片成膜后的均匀性,且没有滑片的风险。 | ||
搜索关键词: | 传片机构 加热盘 工位 晶片 工位槽 成膜 本实用新型 均匀性 砷化镓晶片 薄膜生产 光刻工序 晶片背面 升降机构 升降孔 升降盘 圆盘状 承片 滑片 热场 匹配 通用 改进 | ||
【主权项】:
1.一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构,包括加热盘和传片机构,所述加热盘与传片机构构成升降机构,所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽,所述传片机构升降孔设于加热盘的中心,若干个所述工位槽呈矩阵均匀分布在加热盘的四周;所述传片机构包括升降盘和若干组工位托,所述升降盘滑动设于传片机构升降孔内,所述工位托呈矩阵均匀分布在升降盘的四周,所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配;其特征在于,所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状,所述工位托的一侧设有承片托,所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的