[实用新型]一种带隙基准源电路有效
申请号: | 201920035154.2 | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN208969536U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 王昕宇 | 申请(专利权)人: | 上海奥令科电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 李冉 |
地址: | 200000 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种带隙基准源电路,包括:基准电压产生电路、启动电路和中间电压生成电路;基准电压产生电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M14和电流镜电路,启动电路与晶体管M3和晶体管M4的栅极相连,中间电压生成电路与基准电压产生电路和启动电路相连。本实用新型中的中间电压生成电路,用于产生一个相对独立于电源电压VDD的中间电压,该带隙基准源电路不仅在低频段具有较高的电源抑制比,在中频段以及高频段同样具有较高的电源抑制比。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 中间电压 基准电压产生电路 带隙基准源电路 启动电路 生成电路 三极管 本实用新型 电源抑制比 电流镜电路 电源电压 相对独立 栅极相连 低频段 高频段 中频段 | ||
【主权项】:
1.一种带隙基准源电路,其特征在于,包括:基准电压产生电路、启动电路和中间电压生成电路;所述基准电压产生电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M14和电流镜电路;其中所述三极管Q1、所述三极管Q2和所述三极管Q3的发射极分别连接所述晶体管M3、所述晶体管M4和所述晶体管M14的漏极,所述晶体管M3、所述晶体管M4和所述晶体管M14的源极均与所述电流镜电路连接,所述启动电路与所述晶体管M3和所述晶体管M4的栅极相连,所述中间电压生成电路与所述基准电压产生电路和所述启动电路相连。
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