[实用新型]单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及成像装置有效
| 申请号： | 201920051759.0 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN209912885U | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 徐渊;王育斌;陈享;陈志芳;潘安;黄志宇 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/14 | 分类号： | H01L31/14 |
| 代理公司： | 44362 深圳快马专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵亮;刘朗星 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供单光子雪崩二极管、主动式淬灭电路、脉冲式TOF传感器以及成像装置，单光子雪崩二极管包括：P型衬底；深n阱，其形成于P型衬底的上方；第一N阱区形成于深n阱的上方；第一P+离子区形成于第一N阱区的上方；P阱区，其环绕第一N阱区和第一P+离子区设置于深n阱内；第二N阱区，其环绕P阱区设置在深n阱内，第二N阱区延伸到P型衬底上；第一N+离子区，其形成与第二N阱区；以及第二P+离子区，其环绕第二N阱区设置于P型衬底上。本申请能够升了反向击穿电压，避免了二极管的提前击穿，从而提升了探测效率，还能够加快完全淬灭器件雪崩效应的速度，抑制单光子雪崩二极管在恢复探测状态的时候再次被触发。 | ||
| 搜索关键词： | 离子区 深n阱 衬底 单光子雪崩二极管 环绕 淬灭 反向击穿电压 二极管 成像装置 探测效率 探测状态 雪崩效应 脉冲式 主动式 传感器 触发 击穿 申请 电路 延伸 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，所述单光子雪崩二极管包括：/nP型衬底；/n深n阱，其形成于所述P型衬底的上方；/n第一N阱区，其形成于所述深n阱的上方；/n第一P+离子区，其形成于所述第一N阱区的上方；/nP阱区，其环绕所述第一N阱区以及第一P+离子区设置于所述深n阱内，所述P阱区与所述第一N阱区和第一P+离子区接触；/n第二N阱区，其环绕所述P阱区设置在所述深n阱内，所述第二N阱区延伸到所述P型衬底上；/n第一N+离子区，其形成于所述第二N阱区；以及/n第二P+离子区，其环绕所述第二N阱区设置于所述P型衬底上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
