[实用新型]一种多晶硅铸锭装置有效
| 申请号： | 201920068075.1 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN209619505U | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 罗鸿志;何亮 | 申请（专利权）人： | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338004 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种多晶硅铸锭装置，包括坩埚、设置在所述坩埚侧壁外围的坩埚护板和设置在所述坩埚侧壁上沿的陶瓷板，所述坩埚具有第一容置腔，所述陶瓷板形成与所述第一容置腔贯通的第二容置腔，所述陶瓷板的上沿高于或齐平于所述坩埚护板的上沿；陶瓷板的设置隔绝了坩埚中的硅料在熔化过程中产生的SiO与坩埚护板的接触，避免了CO的生成，进而有效避免了硅锭中碳含量的增加，提高了多晶硅的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 陶瓷板 容置腔 护板 多晶硅铸锭 坩埚侧壁 熔化 本实用新型 多晶硅 硅锭 硅料 齐平 贯通 外围 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅铸锭装置，其特征在于，包括坩埚、设置在所述坩埚侧壁外围的坩埚护板和设置在所述坩埚侧壁上沿的陶瓷板，所述坩埚具有第一容置腔，所述陶瓷板形成与所述第一容置腔贯通的第二容置腔，所述陶瓷板的上沿高于或齐平于所述坩埚护板的上沿。
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