[实用新型]一种采用P埋层工艺制作集成IGBT器件有效
| 申请号： | 201920075705.8 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN209993601U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 鄢细根;黄种德;陈晓静 | 申请（专利权）人： | 厦门中能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)自*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开的采用P埋层工艺制作集成IGBT器件，包括，P底衬、下隔离一(P埋层)、N+埋层、N外延、硼桥、上隔离、下隔离、外岛，所述P底衬上端设置有N+埋层，所述N+埋层上端设置有下隔离一(P埋层)，所述下隔离一(P埋层)上端设置有N外延，所述下隔离一(P埋层)的上端位于N外延的两边设置有硼桥，所述N+埋层的侧面设置有下隔离，所述N外延两边设置有上隔离，所述N外延上端设置有多晶硅。本实用新型在标准双极电路中上下对通隔离工艺的基础上，同步形成P埋层，以及上隔离硼扩散时，把P埋层通过硼桥引出表面，从而为集成纵向结构的IGBT器件提供了可能，与VDMOS器件相比，由于IGBT具有电导调制效应，与同样面积的VDMOS器件相比，电流密度大大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 上端 埋层 本实用新型 底衬 两边 电导调制效应 侧面设置 隔离工艺 工艺制作 双极电路 纵向结构 多晶硅 硼扩散 | ||
【主权项】：
1.一种采用P埋层工艺制作集成IGBT器件，其特征在于，包括，P底衬(2)、下隔离一(3)、N+埋层(4)、N外延(5)、硼桥(6)、上隔离(7)、下隔离(8)、外岛(9)，所述P底衬(2)上端设置有N+埋层(4)，所述N+埋层(4)上端设置有下隔离一(3)，所述下隔离一(3)上端设置有N外延(5)，所述下隔离一(3)的上端位于N外延(5)的两边设置有硼桥(6)，所述N+埋层(4)的侧面设置有下隔离(8)，所述N外延(5)两边设置有上隔离(7)，所述N外延(5)上端设置有多晶硅(1)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门中能微电子有限公司，未经厦门中能微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920075705.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
