[实用新型]一种半导体双MOS芯片

摘要

本实用新型提供一种半导体双MOS芯片，包括：半导体双MOS芯片本体；第一源极焊盘金属层；第二源极焊盘金属层；漏极焊盘金属层；栅极焊盘金属层；第一源极焊盘金属层、第二源极焊盘金属层、漏极焊盘金属层、栅极焊盘金属层之间具有绝缘带；IC芯片预留区钝化层位于半导体双MOS芯片本体的中心区域；漏极焊盘金属层位于IC芯片预留区钝化层与第一侧边之间，栅极焊盘金属层位于IC芯片预留区钝化层与第二侧边之间。本实用新型的半导体双MOS芯片有利于器件体积缩小、内阻减小，减少封装成本，打线缩短，减少线损，能通过大电流，具有便于封装连接，提高控制灵敏度，提高工作稳定性和抗干扰能力的作用。

主权项

1.一种半导体双MOS芯片，其特征在于，包括：半导体双MOS芯片本体，所述半导体双MOS芯片本体的上表面具有第一侧边和第二侧边，所述第一侧边与所述第二侧边相对，所述半导体双MOS芯片本体具有垂直于所述第一侧边和所述第二侧边的中心线，所述半导体双MOS芯片本体包括位于所述中心线左侧的第一MOS和位于所述中心线右侧的第二MOS；第一源极焊盘金属层，位于所述第一MOS的上表面；第二源极焊盘金属层，位于所述第二MOS的上表面；漏极焊盘金属层，位于所述第一MOS和所述第二MOS的上表面，所述漏极焊盘金属层横跨于所述中心线上；第一栅极焊盘金属层，位于所述第一MOS的上表面，所述第一栅极焊盘金属层位于所述中心线的左侧；第二栅极焊盘金属层，位于所述第二MOS的上表面，所述第二栅极焊盘金属层位于所述中心线的右侧；所述第一源极焊盘金属层、所述第二源极焊盘金属层、所述漏极焊盘金属层、所述第一栅极焊盘金属层、所述第二栅极焊盘金属层之间具有绝缘带；IC芯片预留区钝化层，位于所述第一源极焊盘金属层和所述第二源极焊盘金属层的上表面，所述IC芯片预留区钝化层位于所述半导体双MOS芯片本体的中心区域；所述漏极焊盘金属层位于所述IC芯片预留区钝化层与所述第一侧边之间，所述第一栅极焊盘金属层和所述第二栅极焊盘金属层位于所述IC芯片预留区钝化层与所述第二侧边之间。